1.基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件，其特征在于，包括第一石墨烯電極、超分子功能分子和第二石墨烯電極，所述第一石墨烯電極和所述第二石墨烯電極形成石墨烯電極對，所述超分子功能分子連接于所述石墨烯電極對之間；
2.如權利要求1所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件，其特征在于，所述超分子功能分子與所述石墨烯電極對通過酰胺鍵連接。
3.如權利要求1所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件，其特征在于，所述石墨烯電極對之間的間隙為1nm～10nm。
4.如權利要求1所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件，其特征在于，所述石墨烯電極對為點電極對。
5.基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，用于制備如權利要求1至4任一項所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件，包括如下步驟：
6.如權利要求5所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，步驟s200中，所述溶液ⅰ的溶劑選自吡啶。
7.如權利要求5所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，步驟s300中，所述溶液ⅱ的溶劑選自水。
8.如權利要求5所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，步驟s300中，所述客體分子c為客體分子c1時，合成包括如下步驟：
9.如權利要求5所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，步驟s300中，所述客體分子c為客體分子c2時，合成包括如下步驟：
10.如權利要求5所述的基于超分子組裝的單分子憶阻-整流器件的制備方法，其特征在于，步驟s300中，所述溶液ⅱ中主體分子a與客體分子c的摩爾比為1：1。