本發明涉及光檢測裝置。
背景技術：
1、在背面照射型cmos（互補金屬氧化物半導體：complementary?metal?oxidesemiconductor）圖像傳感器中，能夠通過減小浮動擴散部（fd，亦即浮動擴散電容）的電容量（fd電容量）來提升轉換效率。通過轉換效率的提升，就期望實現隨機噪聲的降低。因此，存在這樣一種現有技術：其中，通過采用不同于beol（后端工藝：back?end?of?line）配線的局部配線結構，實現fd電容量的低電容量化，以旨在實現高的轉換效率和低的隨機噪聲（參見專利文獻1）。
2、引文列表
3、專利文獻
4、專利文獻1：國際專利申請公布第wo?2016/199588?a1號
技術實現思路
1、在上述局部配線結構中，在半導體基板上存在有通過局部配線與fd連接的諸如復位晶體管等晶體管。因此，半導體基板中的擴散層的電容量等是較大的。此外，在微細像素或像素共用結構中，半導體基板上的布局存在制約。
2、于是，目前期望提供一種光檢測裝置，其能夠在降低隨機噪聲的同時還能實現半導體基板中的晶體管的布局的最優化。
3、根據本發明一個實施方案的光檢測裝置包括：半導體基板，其具有對光進行光電轉換的光電轉換元件；和絕緣層，其與所述半導體基板堆疊，且具有至少一個薄膜晶體管。所述絕緣層還具有用于將所述薄膜晶體管與所述半導體基板連接的配線。所述配線的至少一部分包含與所述薄膜晶體管的半導體材料相同的材料。
4、在根據本發明實施方案的光檢測裝置中，所述絕緣層包括所述薄膜晶體管和所述配線。所述配線的至少一部分包含與所述薄膜晶體管的半導體材料相同的材料。
1.光檢測裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，
3.根據權利要求2所述的光檢測裝置，其中，
4.根據權利要求3所述的光檢測裝置，其中，
5.根據權利要求4所述的光檢測裝置，其中，
6.根據權利要求5所述的光檢測裝置，其中，
7.根據權利要求4所述的光檢測裝置，其中，
8.根據權利要求7所述的光檢測裝置，其中，
9.根據權利要求8所述的光檢測裝置，其中，
10.根據權利要求9所述的光檢測裝置，其中，
11.根據權利要求7所述的光檢測裝置，其中，
12.根據權利要求11所述的光檢測裝置，其中，
13.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，
14.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，所述薄膜晶體管包括：